制备方法
1.以金属锆和硅粉为原料。将金属锆粉碎,再与硅粉充分混合,将混合料放入石墨炉内,加热至900~1000℃进行预反应,然后通入氢气,再升温至1200℃左右进行反应,制得硅化锆。2.采用直接法。以金属锆和硅粉为原料制备硅化锆,反应式如下。首先将金属锆粉碎,再与硅粉充分混合,将混合料放入石墨炉内,加热至900~1000℃进行预反应,然后通入氢气,再升温至1200℃左右进行均化反应,即制得硅化锆。
合成制备方法
1.以金属锆和硅粉为原料。将金属锆粉碎,再与硅粉充分混合,将混合料放入石墨炉内,加热至900~1000℃进行预反应,然后通入氢气,再升温至1200℃左右进行反应,制得硅化锆。
2.采用直接法。以金属锆和硅粉为原料制备硅化锆,反应式如下。
首先将金属锆粉碎,再与硅粉充分混合,将混合料放入石墨炉内,加热至900~1000℃进行预反应,然后通入氢气,再升温至1200℃左右进行均化反应,即制得硅化锆。
用途简介
用作精细陶瓷原料粉,用于生产半导体薄膜生产用坩埚。
用途
用作精细陶瓷原料粉,用于生产半导体薄膜生产用坩埚。