制备方法
1.将单质Si和金属镧粉末按比例混合,压块,在真空中熔化可得。2.La、Si、Hg混合物在石英管中用电炉在约450℃温度下加热10~12h,过量的汞使用弯管蒸馏,当汞在管的冷端收集完毕后,在管的热端加热至450~600℃对产物进行退火处理。
合成制备方法
1.将单质Si和金属镧粉末按比例混合,压块,在真空中熔化可得。
2.La、Si、Hg混合物在石英管中用电炉在约450℃温度下加热10~12h,过量的汞使用弯管蒸馏,当汞在管的冷端收集完毕后,在管的热端加热至450~600℃对产物进行退火处理。
用途简介
用途