产品名称

锑化铟单晶

CAS NO

1312-41-0

中文别名

锑化铟;锑化铟晶片;锑化铟, 99.999% (METALS BASIS);锑化铟, ELECTRONIC GRADE, 99.99% (METALS BASIS);锑化铟, 电子级, 99.99% (METALS BASIS);锑化铟单晶

英文名称

INDIUM ANTIMONIDE

英文别名

antimonycompd.withindium(1:1);indiumcompd.withantimony(1:1);INDIUM ANTIMONIDE;Indium antimonide (99.99%-In) PURATREM;Indiumantimonideblackxtl;indium stibide;INDIUM ANTIMONIDE, 99.99+%;Indium antimonide, 99.5%

分子式

InSb

分子量

236.58

EINECS

215-192-3

熔点

535°C

沸点

毒性

锑化铟（InSb）

1，物理性质：

原子量：236.578

立方晶系闪锌矿结构，金属光泽。

熔点：525 ℃

禁带宽度：0.17 eV

密度：5.78 g/cm³

迁移率大

2，规格：

化学纯度：

高纯锑化铟：InSb-05 纯度99.999%以上，银，砷，镉，铜，铁，镁，镍，铝，锌杂质总含量小于10ppm。

3，物理性状：块，粉。

4，用途：

主要用于制作InSb单晶，其单晶应用于红外探测器件，霍耳器件，磁阻器件衬底，为大气透射窗口3-5mm波段的成像器件，电荷注入器件，多元素两维列阵。光，电，磁，力的传感器材料。

5，包装：聚乙烯瓶封装。