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金蚀刻剂TFA

高纯度，低钠含量，0.2微米级过滤，用于微型电子产品，蚀刻金和镍

金蚀刻剂TFA/GE-8148

说明

金薄膜蚀刻剂在光刻法制作微电子线路中用以选择蚀刻金。和光刻技术相结合这些蚀刻剂可在氧化铝或其他基板上的薄膜上制作精密电极和电阻图案。其纯度高钠含量低，0.2微米过滤，可用于半导体和微型电子产品。

金蚀刻剂TFA，不含氰化物，用于制作标准产品
金蚀刻剂GE-8148，不含氰化物，不浸蚀镍膜

TFA GE-8148
操作温度 室温 室温
通风 建议用通风橱 建议用通风橱
搅拌 搅拌可加快蚀刻速率 搅拌可加快蚀刻速率
罐 玻璃 玻璃
蚀刻速率，25℃ 28 ? /秒 50 ? /秒
组成 液体中含KI-I2络合物 液体中含KI-I2络合磷酸盐化合物
PH（20℃） 8.15±0.2
密度（20℃） 1.265±0.01
蚀刻能力（g/加仑） 100 100
光刻胶相匹配性 阴，阳光刻胶 阴，阳光刻胶
冲洗 蒸溜水，去离子水 蒸溜水，去离子水
废液处理 按国家有关规定处理



杂质最大含量 (ppm)
钠（Na） 40
氯和溴（CL） 100
铅(Pb) 5
铁(Fe) 3
硫(作为硫酸盐) 50
磷(作为磷酸盐) 10

金蚀刻剂TFAC
(用于金属间化合物基板)
说明
金蚀刻剂TFAC是用于在砷化镓、磷化镓以及其他金属间化合物基板上制作微型电子线路的选择性蚀刻剂。金蚀刻剂蚀刻线条精细，边下蚀低。这些氰化物蚀刻剂蚀刻速率均匀，金蚀刻剂TFAC从铜、黄铜、青铜、镍和其他有色金属上（银除外）刻蚀金。
性质

操作温度 室温
通风 通风橱
搅拌 搅拌加快蚀刻速率
罐材 聚丙烯
蚀刻速率，25℃ 5-10 ? /秒
蚀刻速率，60℃ 30 ? /秒
组成 含氰化物粉。使用前用水稀释(8盎司/加仑)
蚀刻能力，60℃ 65×10-6英寸/2分
冲洗 水
处理 见下面


应用

将水加热于50℃以帮助溶解。在每加仑去离子水中加8盎司金蚀刻剂TFAC粉，蚀刻导体图案去除金膜，蚀刻时间长短依膜厚度而定，保存蚀刻废液回收其中的金。

废液处理：分离溶液。氰化物小心按照国家和地方有关规定处理。