用途
| 磷化铟 |
| 参数 | 数值 |
22398-80-7| 别名 | | | 英文别名 | | 化学性质 | 具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数:10.8。电子迁移率:约4600 cm2/V?s。空穴迁移率:约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。 | | 用途 | 用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1.1~1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配,又能满足波长范围的要求。 | | 生产方法 | 用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法,并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延,多采用In-PCl3-H2系统的歧化法,在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。 气相外延将石英反应管放在双温区电炉中,已净化的高纯氢气经计量通入,氢气也用来稀释三氯化磷,此时彭泡器保持在0℃,通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。 在第一阶段,将盛有铟的石英舟放在电炉中源区,通入氢气并加热到700~850℃,再用氢气将三氯化磷引入,在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。 在第二阶段,铟源保持在原位置不加热,单晶衬底放在电炉的第二加温区后,在氢气氛下加热到600~750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀,清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管,并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入,这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应,在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后,向系统中通入纯氢气,将两个温区冷却到室温,取出产物,制得磷化铟成品。 | | 类别 | 有毒物品 | | 可燃性危险特性 | 高热产生有毒磷氧化物烟雾 | | 储运特性 | 库房通风低温干燥 | | 灭火剂 | 干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水 | | 职业标准 | TWA 0.1 毫克 (铟)/立方米 | | |
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| 磷化铟 |
| 参数 | 数值 |
磷化铟晶体INP;磷化铟,99.9999%(METALSBASIS);磷化铟,多晶块,99.99%(METALSBASIS);磷化铟,99.999%(METALSBASIS);磷化铟,多晶块;磷化铟(III);磷化铟;磷化铟(III),99.9999%(METALSBASIS)
仓储物流

供应 22398-80-7 | 供应 磷化铟 | 现货 22398-80-7 | 现货 磷化铟 | 高纯 22398-80-7 | 高纯 磷化铟 | 定制 22398-80-7 | 定制 磷化铟 | 22398-80-7 供应商 | 磷化铟 供应商 | 22398-80-7 生产厂家 | 磷化铟 生产厂家 | 22398-80-7 价格 | 磷化铟 价格 | 22398-80-7 现货 | 磷化铟 现货 | 22398-80-7 作用 | 磷化铟 作用 | 22398-80-7 原料 | 磷化铟 原料 | 22398-80-7 定制 | 磷化铟 定制 | 22398-80-7 试剂 | 磷化铟 试剂 |
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