产品名称

磷化铟

CAS NO

22398-80-7

中文别名

磷化铟(III)

英文名称

Indium phosphide (InP)

英文别名

Indiummonophosphide; Indium phosphide

分子式

InP

分子量

145.79

EINECS

244-959-5

熔点

1070°C

沸点

°Cat760mmHg

毒性

产品简介：

磷化铟

化学式：InP

纯度：99.999%，99.9999%

产品概述

磷化铟

化学式：InP

纯度：99.999%，99.9999%

技术参数

应用：磷化铟是第二代半导体材料，广泛应用于光通信、集成电路等领域。5G 时代技术革 新带来以磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导体材料的蓬勃发展。磷化铟（InP）是一种 III~V 族化合物，闪锌矿型 晶体结构，晶格常数为 5.87×10-10 m，禁带宽度为 1.34 eV，常温下迁移率为 3000~4500 cm2 /(V.S)。InP 晶体具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率 高等诸多优点，被广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集成电路和外层空间用太阳 电池等领域。未来组件需求将以高速、高频与高功率等特性，链接 5G 通讯、车用电子与 光通讯领域的应用，第二、三代化合物半导体有望突破硅半导体摩尔定律。