镓(Ga)(Gallium)

1,物理性质:

原子量:69.723

熔点:29.78 ℃

沸点:2403 ℃

密度:5.907 g/cm³ (20℃)

莫比硬度:1.5 kg/mm²

超临界温度:1.087K

固态略带兰色,质软,液态银白色。

2,规格:

化学纯度:

高纯镓:Ga-04 纯度99.99%以上,银,铝,钙,铬,铜,铁,汞,铟,镁,锰,镍,铅,锑,锡,锌杂质总含量小于100ppm;

超纯镓:Ga-05 纯度99.999%以上,铬,铜,铁,镁,锰,镍,铅,锑,锡,锌杂质总含量小于10ppm;

超高纯镓:Ga-06 纯度99.9999%以上,铜,铁,镁,锰,镍,铅,锑,锡,锌杂质总含量小于1ppm。

3,物理性状:固体。

4,用途:

主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,为GaAs, GaP, GaAsP, GaAlAs, GaAlP高纯合金,晶体管合金,超低温合金,原子反应堆中之热载体以及锗,硅单晶的掺杂剂。

5,包装:聚乙烯瓶封装,塑料薄膜外封。