DN73光刻胶洗边溶剂产品说明书

1. 产品概述

产品别名：OK73溶剂  EBR溶剂

产品简介：本产品是半导体光刻工艺专用高纯辅助溶剂，核心用于晶圆旋涂光刻胶后，去除晶圆边缘、背面堆积的多余光刻胶胶珠与残胶，可有效避免边缘胶层脱落造成的晶圆污染、图形缺陷、卡机异常等问题，大幅提升晶圆制程良率。同时可适配光刻胶预润湿、返工清洗、微量稀释等工艺场景，是成熟制程至先进制程光刻工序的核心配套材料。

适用场景：半导体晶圆光刻、芯片封装、MEMS器件、LED芯片、显示面板光刻工艺

产品等级：电子级G3/G4

2. 主要成分与配比

本品为复配高纯有机溶剂，无游离杂质、无腐蚀性组分，标准工业配比如下：

• 丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA，CAS：108-65-6）：28%～32%

• 丙二醇甲醚（PGME，CAS：107-98-2）：68%～72%

所有组分均经过多级精馏、超净过滤、脱金属处理，严格管控金属离子、微颗粒、水分等关键杂质，适配半导体高精密制程要求。

3. 核心理化指标

4. 产品特性与优势

• 溶解性能优异：对正性、负性光刻胶均有良好溶解能力，可快速溶解晶圆边缘堆积胶层，清洗后边缘平整无毛刺、无残胶，不损伤晶圆主体光刻胶图形。

• 超高纯度低污染：多级纯化工艺严控金属杂质与微颗粒，杜绝离子污染、颗粒缺陷，适配先进制程良率要求。

• 挥发性能适中：沸点稳定，清洗后可快速均匀挥发，无溶剂残留，不会影响后续软烘、曝光、刻蚀等工序。

• 兼容性强：适配各类半导体光刻胶、硅晶圆、氮化硅、氧化硅基底，不腐蚀基材、不产生界面缺陷。

• 稳定性高：常温下化学性质稳定，不易分解、无聚合现象，批次一致性极佳。

5. 工艺使用方法

5.1 标准洗边工艺

晶圆完成光刻胶旋涂后，设备机械臂带动溶剂专用喷嘴，以固定角度精准喷淋晶圆边缘及背面，溶剂快速溶解边缘堆积光刻胶，配合晶圆离心力将残胶与溶剂甩出盘面，后续经去离子水冲洗、高速甩干，完成洗边工序。

5.2 辅助使用场景

• 光刻胶预润湿：提升晶圆表面润湿性，优化旋涂胶层均匀性；

• 不良晶圆返工：轻微溶解去除表层光刻胶，用于晶圆返工修复；

• 光刻胶微量稀释：可适配对应体系光刻胶的粘度微调。

6. 安全操作规范

6.1 防护要求

• 呼吸系统：车间保持通风良好，密闭操作环境需配备防爆通风设备，高浓度操作时佩戴防毒面具；

• 眼部防护：佩戴化学安全防护眼镜，防止液体飞溅入眼；

• 身体防护：穿戴防静电无尘工作服、耐溶剂防护手套，禁止皮肤直接接触。

6.2 操作禁忌

• 远离明火、高温热源、静电及氧化剂，本品易燃，严禁车间吸烟、违规动火；

• 禁止与强酸、强碱、强氧化性化学品混存、混用；

• 操作区域严禁饮食，操作完毕及时清洗手部及裸露皮肤。

6.3 应急处理

• 皮肤接触：立即脱去污染衣物，用大量流动清水冲洗接触部位；

• 眼睛接触：立即用大量清水或生理盐水持续冲洗15分钟以上，及时就医；

• 误食：禁止催吐，立即饮用大量温水稀释，并迅速就医；

• 泄漏处理：小量泄漏用无尘布、吸附棉吸收擦拭；大量泄漏隔离现场，用惰性吸附材料覆盖收集，严禁流入下水道及生产沟渠。

7. 储存与运输

7.1 储存条件

• 储存环境：阴凉、干燥、通风的专用危化品仓库，环境温度5～30℃，避免阳光直射；

• 存放要求：密封保存，远离热源、电源、氧化剂，单独分区存放，禁止混储；

• 保质期限：原装密封状态下，保质期6个月。

7.2 运输要求

本品属于易燃液体，运输需遵循危化品运输规范，采用防静电、密封包装，运输过程中避免暴晒、高温、剧烈颠簸，严禁与易燃易爆、强氧化货物混运。

8. 包装规格

• 常规包装：200L无尘桶；专用TANK罐

9. 质量保证

本产品每批次均附带出厂检测报告（COA），可适配国内主流晶圆厂、封测厂、面板厂光刻工艺量产使用。

10. 免责说明

本说明书数据均基于常规检测与标准工艺应用，仅供生产、操作、储存参考。使用前，建议用户提前进行小批量工艺验证。