DN73光刻胶洗边溶剂产品说明书
1. 产品概述
产品别名:OK73溶剂 EBR溶剂
产品简介:本产品是半导体光刻工艺专用高纯辅助溶剂,核心用于晶圆旋涂光刻胶后,去除晶圆边缘、背面堆积的多余光刻胶胶珠与残胶,可有效避免边缘胶层脱落造成的晶圆污染、图形缺陷、卡机异常等问题,大幅提升晶圆制程良率。同时可适配光刻胶预润湿、返工清洗、微量稀释等工艺场景,是成熟制程至先进制程光刻工序的核心配套材料。
适用场景:半导体晶圆光刻、芯片封装、MEMS器件、LED芯片、显示面板光刻工艺
产品等级:电子级G3/G4
2. 主要成分与配比
本品为复配高纯有机溶剂,无游离杂质、无腐蚀性组分,标准工业配比如下:
- 丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA,CAS:108-65-6):28%~32%
- 丙二醇甲醚(PGME,CAS:107-98-2):68%~72%
所有组分均经过多级精馏、超净过滤、脱金属处理,严格管控金属离子、微颗粒、水分等关键杂质,适配半导体高精密制程要求。
3. 核心理化指标
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检测项目
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G3级标准
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G4级标准
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主成分纯度
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≥99.99%
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≥99.99%
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单种金属离子含量
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≤2 ppb
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≤0.1 ppb
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水分含量
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≤500 ppm
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≤400 ppm
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颗粒物(0.5μm)
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≤20个/mL
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≤20个/mL
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4. 产品特性与优势
- 溶解性能优异:对正性、负性光刻胶均有良好溶解能力,可快速溶解晶圆边缘堆积胶层,清洗后边缘平整无毛刺、无残胶,不损伤晶圆主体光刻胶图形。
- 超高纯度低污染:多级纯化工艺严控金属杂质与微颗粒,杜绝离子污染、颗粒缺陷,适配先进制程良率要求。
- 挥发性能适中:沸点稳定,清洗后可快速均匀挥发,无溶剂残留,不会影响后续软烘、曝光、刻蚀等工序。
- 兼容性强:适配各类半导体光刻胶、硅晶圆、氮化硅、氧化硅基底,不腐蚀基材、不产生界面缺陷。
- 稳定性高:常温下化学性质稳定,不易分解、无聚合现象,批次一致性极佳。
5. 工艺使用方法
5.1 标准洗边工艺
晶圆完成光刻胶旋涂后,设备机械臂带动溶剂专用喷嘴,以固定角度精准喷淋晶圆边缘及背面,溶剂快速溶解边缘堆积光刻胶,配合晶圆离心力将残胶与溶剂甩出盘面,后续经去离子水冲洗、高速甩干,完成洗边工序。
5.2 辅助使用场景
- 光刻胶预润湿:提升晶圆表面润湿性,优化旋涂胶层均匀性;
- 不良晶圆返工:轻微溶解去除表层光刻胶,用于晶圆返工修复;
6. 安全操作规范
6.1 防护要求
- 呼吸系统:车间保持通风良好,密闭操作环境需配备防爆通风设备,高浓度操作时佩戴防毒面具;
- 眼部防护:佩戴化学安全防护眼镜,防止液体飞溅入眼;
- 身体防护:穿戴防静电无尘工作服、耐溶剂防护手套,禁止皮肤直接接触。
6.2 操作禁忌
- 远离明火、高温热源、静电及氧化剂,本品易燃,严禁车间吸烟、违规动火;
- 操作区域严禁饮食,操作完毕及时清洗手部及裸露皮肤。
6.3 应急处理
- 皮肤接触:立即脱去污染衣物,用大量流动清水冲洗接触部位;
- 眼睛接触:立即用大量清水或生理盐水持续冲洗15分钟以上,及时就医;
- 误食:禁止催吐,立即饮用大量温水稀释,并迅速就医;
- 泄漏处理:小量泄漏用无尘布、吸附棉吸收擦拭;大量泄漏隔离现场,用惰性吸附材料覆盖收集,严禁流入下水道及生产沟渠。
7. 储存与运输
7.1 储存条件
- 储存环境:阴凉、干燥、通风的专用危化品仓库,环境温度5~30℃,避免阳光直射;
- 存放要求:密封保存,远离热源、电源、氧化剂,单独分区存放,禁止混储;
7.2 运输要求
本品属于易燃液体,运输需遵循危化品运输规范,采用防静电、密封包装,运输过程中避免暴晒、高温、剧烈颠簸,严禁与易燃易爆、强氧化货物混运。
8. 包装规格
9. 质量保证
本产品每批次均附带出厂检测报告(COA),可适配国内主流晶圆厂、封测厂、面板厂光刻工艺量产使用。
10. 免责说明
本说明书数据均基于常规检测与标准工艺应用,仅供生产、操作、储存参考。使用前,建议用户提前进行小批量工艺验证。