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钽蚀刻剂SIE—8607和111
说明
Transene钽蚀刻剂SIE—8607和111是在微电子产品的制作中用于精密、清晰的蚀刻钽、氮化钽和氧化钽膜的高纯度蚀刻剂体系。钽蚀刻剂SIE—8607是浸蚀性更强的快速蚀刻剂。而钽蚀刻剂—111则是便于蚀刻控制的较缓慢的蚀刻剂，它能更为有效地去除氧化钽膜层。这两种蚀刻剂都经过滤去除了大于0.2微米的颗粒。
性质
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钽蚀刻剂SIE—8607
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钽蚀刻剂—111
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外观
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澄清
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澄清
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溶解性
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无限溶于水
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无限溶于水
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过滤
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0.2微米
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0.2微米
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操作温度
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25℃
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25℃
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蚀刻速率（Ta），25℃
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70～80 ?/秒
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30～40 ?/秒
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贮存
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室温
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室温
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有效期
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1年
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1年
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掩散材料
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金；阴性和阳性光刻胶
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金；阴性和阳性光刻胶
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冲洗
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去离子水
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去离子水
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应用
蚀刻时间随材料种类（Ta，TaN或Ta2O5）和材料的纯度的不同而改变。把待蚀刻部件放在蚀刻液中后应进行中等强度的搅拌。钽蚀刻剂中含有氢氟酸，它能浸蚀氧化硅、钛、镍、铝和铬。
