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二氧化硅蚀刻剂
(沉积SiO2的选择性蚀刻剂)
本品为改性HF缓冲液，专门用于蚀刻半导体微电子产品中的沉积二氧化硅（SiO2）。
特点
· 专门蚀刻硅烷或乙基原硅酸酯工艺过程沉积的SiO2膜
· 使用方便
· 经济便宜
· 蚀刻过程可精密控制，排除了氧化物下蚀现象
· 与光刻胶匹配性良好
说明
二氧化硅是半导体微电子产品中沉积SiO2膜的择优蚀刻剂。本蚀刻剂是含有二氟化物离子的缓冲剂。其中HF活度通过氟化物、二氟化物和HF缓冲化物间的反应平衡加以调节。重金属杂质含量严格控制在1ppm以下，以保证产品质量。这种蚀刻剂与阴、阳性光刻胶都有良好的匹配性。
二氧化硅蚀刻剂的性质
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外观
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澄清液体
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比重
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1.1
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pH
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5.0
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重金属
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< 1
ppm
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蚀刻速率，25 °C
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40 ?/秒
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缓冲剂蚀刻能力
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20
mgs. SiO2/mL.
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操作温度
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25℃
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匹配光刻胶
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阴性和阳性光刻胶
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贮存
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室温
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外观
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澄清液体
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应用
二氧化硅蚀刻剂用于光刻术制作半导体装置和集成电路。沉积SiO2在此制作过程中起钝化介电质或与氮化硅一起蚀刻光掩膜的作用。SiO2沉积层的典型厚度是2000 ?数量级。用于蚀刻热生长SiO2的普通缓冲HF溶液不能用于蚀刻沉积SiO2膜。沉积SiO2膜是硅烷经氧化或乙基原硅酸酯经热解而产生的。和热生长SiO2相比较，沉积二氧化硅膜蚀刻时速度要快。用二氧化硅蚀刻剂蚀刻沉积SiO2膜速率易于控制。
用二氧化硅蚀刻剂蚀刻沉积SiO2膜时的速率控制
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蚀刻时间
（秒）
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SiO2 沉积层厚度
( ? )
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反射的颜色
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0
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2150
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橙黄
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3
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2100
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黄
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6
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1900
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绿
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9
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1700
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绿－蓝
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12
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1500
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蓝
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15
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1250
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蓝－紫
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20
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1000
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紫
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25
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900
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紫－蓝
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30
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800
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褐
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35
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500
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棕黄
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40
|
300
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灰
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45
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100
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灰－明亮
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50
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0
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明亮
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