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铬光掩膜蚀刻剂

(用于制备高精密度光掩膜)

本品为改进的铬蚀刻剂，可用于制备高质量铬光掩膜新技术。用于在微型电子产品中去除镀在玻璃片上的铬以制出光掩膜图。

特点

·与光刻胶具有良好匹配性

   ·可室温操作

   ·可观察的蚀刻控制

   ·在亚微米范围清晰确定

   ·廉价经济

说明

Transene铬光掩膜蚀刻剂设计用于制造铬金属光掩膜的新技术中的高要求的蚀刻工艺过程。这种铬光掩膜生产成本低，当用于微型电子产品中时其性能优于乳液型光掩膜。

Transene蚀刻剂可以精密蚀刻铬。它代替通常的有害实验室蚀刻剂用于光掩膜生产工艺，具有无毒无害的优点。这种蚀刻剂可室温操作，可进行直观蚀刻控制，和阴、阳性光刻胶都有良好匹配性。能够很好记录细线条和几何图形，公差在低于微米的数量级范围。Transene铬光掩膜蚀刻剂可一般成功用于柯达（Kodak）镀铬板和玻璃镀铬板。

铬光掩膜蚀刻剂性质

应用

建议使用的光刻胶材料，包括阴性和阳性光刻胶要与铬光掩膜蚀刻剂要有良好匹配性。这样便可以使铬上的微型图案具有重观性。这种蚀刻剂可直接用于柯达（Kodak）金属镀板P，它是在镀铬玻璃板加涂一层阳性光刻胶而制成的。

操作步骤要按指导意见上所叙述的进行(报告1-147)。一般说来，蚀刻过程包括下列步骤：

1.   涂加光刻胶

2.   预烘烤

3.   在紫外光源下将光刻胶暴光

4.   光刻胶显影

5.   后烘烤

6.   蚀刻铬

基板上镀铬层的厚度为800 ?数量级。因此，蚀刻时间在60秒左右。