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氧化铁光掩膜蚀刻剂

(Fe2O3透明光掩膜的制备)

说明

氧化铁光掩膜蚀刻剂建议用在制备微电子装置的光刻成象技术中，在玻璃上蚀制电阻光掩膜或半透明光掩膜图案。

固体电路装置的制作在极大程度上依赖于印影法以便得到轮廓清晰的图案。在使用适当的蚀刻剂的条件下，本技术采用氧化铁透明光掩膜代表一个最佳选择。本公司提供两种这样的蚀刻剂：ME-10型和标准的ME-30型，两者价格低廉。

玻璃上的氧化铁透明光掩膜易于校准并适应于小的几何图形，这正好满足了微电子工业的要求，使用氧化铁光掩膜正象使用铬光掩膜一样，不需要的光线都被吸收，而不反射。晕光效应从而降至最低。此外，使用氧化铁光掩膜，小孔密度大为降低，比点对大规模集成电路的制作至关重要。蚀刻速率和氧化铁的热处理史有关。受高热后，Fe₂O₃会变得不溶于稀酸。在180℃的高温下得到的CVD材料表现不溶性。因此，为了便于蚀刻起见，Fe₂O₃膜的生成温度应当低于160℃。建议光掩膜厚度控制在2000 ?±200 ?范围。

氧化铁光掩膜蚀刻剂的性质

应用

采用标准光刻法成象和显示图案，然后按下面步骤进行蚀刻：

Ⅰ. 在25℃将涂氧化铁的板浸泡在蚀刻液中

Ⅱ. 进行缓慢搅动或摇动

Ⅲ. 在完全去除暴露的氧化铁之后，在去离子水浴下冲洗之。